Home > Products > Diamond Wafers > Ultra high thermal conductive diamond wafer

Ultra high thermal conductive diamond wafer

Overview


SIZE                                                                 1-4 INCH (SHAPE AND DIMENSION CUSTOMZABLE)

GROWTH METHOD:                                       MPCVD

THICKNESS:                                                    0.3-1.0mm

DENSITY:                                           3.52×103Kg·m-3

VIKERS HARDNESS:                        80-100GPa

YOUNG’S MODULUS                        1050GPa

SURFACE ROUGHNESS:                               Ra < 30nm

THERMAL CONDUCTIVITY:                           1200-2000W/m·K

THERMAL EXPANSION:                           1×10-6/K@300K

SPECIFIC HEAT CAPACITY:                           0.502J/gK@300K

BOW:                                                               < 50μm@4inchBow< 30μm@2inch

WARPAGE:                                           < 100μm@4inch< 50μm@2inch

TTV:                                                                <30 µm

THICKNESS TOLERANCE:                       ±0.05 mm

WARPAGE:                                        ≤10 µm


Copyright © Semixicon LLC All Rights Reserved.